硬件资讯：内存涨价已引起了中央的关注，中国发改委介入调查
内存价格连涨7个季度，中国发改委调查x0a希捷宣布为机械硬盘引入双驱动电机技术，读写速度翻番x0aAMD下代显卡架构“Navi”在驱动中现身，7nm工艺，GDDR6显存...
新闻1：内存价格连涨7个季度，中国发改委调查
当年屏幕垄断案件，LG，奇美和三星都被罚了个爽。今年内存涨价的阵势，怕不是再把海力士和三星来波爽的，以解我们DIY玩家心头的愤怒。“一年翻了4倍，还在炒房？那你就亏了！”“原来内存才是最佳理财工具！”
2016年第二季度开始，PC、移动、服务器等各个领域的内存产业收入都在一路飙升，每个季度都在刷新纪录，预计2017年全年产业规模将猛增74％，而上次出现这样的盛景还是23年前。
但随着而来的，是内存价格持续暴涨，8GB单条一度逼近1000元大关，直到最近才开始有所回落，但依然是两年前的三倍有余。
长期以来，DRAM内存颗粒行业由韩国三星、SK海力士和美国美光三强把持，市场份额分别高达45.8％、28.7％、21.0％，合计超过九成。
PC内存价格涨不停的背后，是三强的同步战略转变，产能转向利润较高的移动和服务器内存，PC内存则优先满足OEM大客户，现货市场自然严重供不应求，偏偏三星、美光又先后碰到良品率问题。
据台湾厂商驼鹿，三星、SK海力士最近陆续通知，明年第一季度DRAM颗粒的价格将上涨8％，而且这种局面会在明年上半年持续，下半年才有望恢复供需平衡。
据了解，过去几个月，不断有终端厂商向国家发改委反映内存行业情况。据传，发改委近期已经开始关注产业的相关动态，不排除未来对DRAM进行调查，以确定是否存在垄断行为的可能。
新闻2：希捷宣布为机械硬盘引入双驱动电机技术，读写速度翻番
有一个误区，不是真的写入读取速度翻倍，而是多任务下的读写速度能够翻倍，因为如果传统的HDD也有8个磁头的话，也能达到类似的速度，这种磁头设计就像是内部Raid0一样。但是只有Raid0的随机速度，没有Raid0的两倍速度（一个8盘片对比两个4盘片raid0的对比）。机械硬盘便宜大腕，但是其相较SSD羸弱的读写速度、敏感的机械结构却是多年来都没有很实质性的改进。
虽然SATA3接口的理论速度是6Gbps，SAS3更是12Gbps，但机械硬盘没一个能够跑满甚至说摸到50%都是奢望。
而从这些年的技术态势来看，西数、希捷、东芝三巨头都是在盘面上做文章，比如SMR（叠瓦式）、MAMR（微波辅助）还有HAMR（热辅助）等磁记录技术，充氦等多盘堆叠方式，而没有几个去探索速度拔升的。
举个例子，三大厂都承诺5年之内发售40TB硬盘，按照现在平均250MB/s的速度，工况良好的情况下不断电运行，居然需要接近两天的时间才能填满，何其夸张。
其实，机械硬盘掰开揉碎了说，就是三个大件，驱动电机、磁头+驱动臂和盘面，TMHW介绍说，希捷宣布，将正式引入多驱动电机（Multi-Actuator）技术，使得HDD的性能翻番。
坦率讲，多电机技术并不新鲜，实验室内翻来覆去很多年了，最大的阻碍因素就是成本难以降低。
按照希捷的最新演示，双电机可以独立运行，每个电机臂带有8个磁头，上电后同轴运行。不过，新的电机需要额外的致动器磁铁和音圈磁铁，由此外界猜测可能会带来重量、成本的上扬。
相较传统的8碟16头硬盘，双电机意味着可以传递/检索多一倍的数据，也就是读写性能翻倍。
希捷还强调，双电机最终可适配SAS、SATA甚至是NVMe协议。
不过，具体的时间节点仍旧是个未知数，希望这次巨头“旧事重提”的行为不是秀存在感，也就是我们真不用等太久。
新闻3：AMD下代显卡架构“Navi”在驱动中现身，7nm工艺，GDDR6显存
今年AMD CPU得力，但是GPU仍需努力，毕竟老黄可不是一个挤牙膏的人，希望GPU市场也能像CPU市场一样重新燃起竞争的火花。不知道各位是否记得，Vega架构的代号是GFX9。而下一代架构的代号GFX10最近现身了，我们可以在最新的Linux驱动程序中找到这段代码。
new_chip.gfx10.mmSUPER_SECRET.enable [0：0]
显卡的架构名称隐藏在SUPER_SECRET代号下。通常情况下，我们会看到GPU的真实名称，但是AMD可能会试图先将这个架构的名称隐藏几个月，避免还没有建成架构的情况下被人炒作，看来新架构的显卡已经在开始测试了。
NAVI是AMD首款7nm架构。但当前我们除了知道例如显卡将搭载HBM3和GDDR6之外，AMD并没有透露任何有关NAVI的细节。
7nm工艺主要用于高性能计算的CPU、GPU上，相比现有的14nm LPP工艺，7nm在功率和晶体管数量相同的前提下，带来40%的效率提升；或者在频率和复杂性相同的情况下，将功耗降低60%。可以说7nm将会是一个比较关键性的工艺节点。
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