英特尔大连Fab68二期投产96层3D闪存 中国存储器市场暗潮涌动
该厂于2015年10月开建，将原用于处理器的封装测试改建为用于生产NAND闪存芯片，总投资55亿美元（约合人民币380亿元）。
近年来全球DRAM技术持续发展，闪存芯片更已成为移动装置重要零组件，并在物联网、人工智能等日出不穷的新兴应用中扮演重要角色。而中国的消费市场快速崛起正成为新老牌存储器厂商的“兵家必争之地”，前有英特尔如此大肆投资、转换新的存储器工厂，后有国内三大阵营逐渐成型，在自主存储芯片来袭的当下，中国市场的布局已俨然存储器群雄兵家必争之地。
英特尔的“二战”之路离不开中国市场
“没有一个人的生活道路是笔直的，没有岔道的。有些岔道口……走错一步，可以影响人生的一个时期，也可以影响一生。”这是路遥作品《人生》的开篇题记，同样，对于一家企业来说，在其存在和发展的过程中，也存在着一些关键岔道，有可能意味着企业有机会上升到一个新的高度，但它也同样标志着企业没落的开端。
回望英特尔的存储器之路，充满曲折蜿蜒。早已在1985年，选择彻底放弃存储器业务，转为专攻芯片领域，使得其成为PC和服务器芯片的霸主。然而，如今面对三星的步步紧逼，更是被后者夺得全球老大位置的巨大压力下，一直在存储芯片业务上“举棋不定”的英特尔走出了关键一步——增强在中国市场的话语权。
中国目前已经是全球存储产业中最为重要的市场。本月19日，在中国闪存市场峰会上公布的数据显示，2018年全球半导体市场规模达到1500亿美元，其中NAND Flash将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%。另据中国半导体协会数据统计，2017年全球半导体总营收为4197亿美元，相较2016年成长23.8％。其中，存储器占所有半导体市场营收成长逾三分之二，而中国市场则占到了存储器市场的50%。
显然，对于英特尔而言，以存储器立足中国市场的重要性不言而喻。除了对抗三星外，从市场角度看，存储业务更可以将内存整合到处理器中，这样可以大幅度提升整机的性能，增强Intel的处理器业务竞争力。
但是，在群雄逐鹿的国内市场里，除了老牌竞争对手，还有一批国产“生力军”正悄然壮大。
如果说，中国市场的重要性，和中国政策的战略扶持在一定程度上决定了存储企业在中国的发展情况的话，那么对于中国自主存储芯片企业而言则是突破口。正如长江存储CEO杨士宁指出，“选择3D NAND是企业需求、外部机遇和市场动力的吻合。这是个技术的问题，更是个经济的问题。”
在全球存储器市场需求的不断驱动下，国产存储芯片企业也奋起直追，即是当下正努力扩大产能的武汉长江存储、合肥长鑫、福建晋华三股新势力。
在刚刚举行的第六届中国电子信息博览会上，紫光董事长赵伟国宣布国内首款自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将在2018年年底前实现量产；64层3D NAND芯片将会在2019年进入规模研发阶段，并同步研发128层256G存储芯片。这将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队。
除了武汉长江存储的32层3D NAND闪存值得关注，致力于利基型内存的福建晋华早已在2016年7月宣布于福建省晋江市建设12吋厂，投资金额约53亿美元，以目前进度来看，其利基型内存的试产延后至2018年第三季度，量产时程也将落在2019年上半年。
反观专注于移动式内存的合肥长鑫其厂房已于2017年6月封顶完工，并开始移入测试用机台。进度方面，合肥长鑫则与福建晋华大致相同，量产则暂定在2019年的上半年。此外，合肥长鑫还则直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb。
总而言之，以目前三家厂商的进度来看，随着三大阵营的量产关键时间点皆落在2019年上半年，同时自主研发技术也终将进入量产的“深水区”。
根据市场分析指出，随着中国存储器产品逐步成熟，预计2020-2021年合肥长鑫则与福建晋华现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。
另一方面，长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。
另外，值得一提的是，已连续两年走高的存储芯片市场由于供过于求之势已开始掉头，DRAM价格俨然已下跌20-30%，业内人士分析，甚至可能引发预期性的价格崩跌。然而，不管此下行趋势如何，对于国内存储业者而言，唯有义无反顾前行。
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