制程只有28个硅原子宽度，英特尔14nm至强E5处理器问世

英特尔今天宣布推出全新至强处理器E5 v4产品家族，这不是愚人节的玩笑，而是真实的基于14nm制程工艺技术制造的最新处理器。前不久有消息称，英特尔在公司文档中宣布废止了“Tick-Tock”芯片发展周期计划，从下一代10纳米制程CPU开始，英特尔会采用“制程-架构-优化”(PAO)的三步走战略。因此，E5 v4可以视为Tick-Tock的结束，也可以视为PAO的开始。此次与E5 v4共同发布的还包括P3320/P3520与D3700/D3600两款基于NVMe的英特尔固态磁盘。



英特尔至强处理器E5-2600 v4基于14nm工艺制造，可提供SDI所需要的关键要素，包括资源调配技术（Intel Resource Director Technology），用于处理器高速缓存、内存等关键共享资源的可视化和控制力，从而提升资源的利用率以及服务等级。



数据显示，新的处理器在内核数量以及高速缓存容量上提升了20%，并提供了一些加速负载的多项集成技术，以及工作负载隔离、安全策略执行、加密加速等安全特性。而新的P3320/P3520基于3DNAND设计，较之普通SATA固态盘，容量提升了5倍。D3700/D3600支持NVMe协议，同时提供了双插槽设计，因此具有冗余设计和故障转移的功能。与现有SAS盘相比，D3700/D3600可以达到6倍性能提升。



据披露，从22纳米到14纳米英特尔采用了两步走，限于工艺发展变缓，英特尔不缩小线宽，而是升级CPU核心架构。Skylake的发布时间比预料晚半年。当进入10纳米制程后，原本的芯片周期已经无法适应每年发布一代CPU，英特尔必须延长每一代制程的生命周期，也就是说每一代制程将沿用3年。

10纳米制程还将面临芯片制造的难题，因为10纳米仅仅相当于20个硅原子宽度。这与2007年的情况非常类似。微软在文档中表示，优化芯片制程和架构将维持每年发布一代CPU的市场需求。

与竞争对手三星和台积电相比，英特尔在10纳米芯片技术上保持领先优势。英特尔相信未来芯片的制造会越来越困难，相比竞争对手的优势会愈加明显。然而，台积电此前曾表示，计划在2020年推出5纳米制程的芯片。随着摩尔定律的失效，IBM公司已经开始研究纳米碳管和石墨烯材料的芯片。不过英特尔前CEO保罗·欧德宁CPU芯片基本材料在未来几十年内还会是硅。

同样值得关注的是中国制造能力的提升和崛起。不久前，总投资达240亿美元（约1600亿元人民币）、占地约2500亩的存储器基地宣布将于年内在武汉汉东湖高新技术产业开发区开工，共分三期建设，该基地主要生产3D NANA Flash芯片和DRAM芯片；产能预计将达到30万。与此同时，紫光在深圳12英寸晶圆厂也投入建设，投资规模达到了300亿美元。

尽管目前还没有更多关于所采用制程工艺技术的报道。但有消息源透露，应该具有20nm制程技术。因此中国制造能力的提升，会让的半导体，CPU、闪存的市场更加精彩。

关于DOIT

DOIT是中国领先的科技新媒体，始于2003年，关注科技与数据经济，洞察IT走向DT。

    关注 DOIT