DRAM、FLASH、DDR简介及其厂商一览

定义1DRAMDRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最...

1DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。

2Flash内存

Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

3NOR Flash和NAND Flash

NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。

4DDR

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

5DDR2

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

6DDR3

DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍)，也是现时流行的内存产品规格。

主要特点：

(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。

(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 现在许多低端的显卡也有采用DDR3显存的

7DDR4

DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，带来了更低的功耗与更出色的性能。

1NAND flash和NOR flash

一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

1、NOR的读速度比NAND稍快一些。

2、NAND的写入速度比NOR快很多。

3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

二、NAND flash和NOR flash的接口差别

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

三、NAND flash和NOR flash的容量和成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性

采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

六、位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用

七、EDC/ECC算法

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

八、坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

九、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

十、软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

2DDR与DDR2

3DDR2与DDR3

特性区别：

1、逻辑Bank数量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装(Packages)

由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度(BL，Burst Length)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

4、寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

4DDR3与DDR4

主要区别：

1、外观改变

DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。

2、DDR4内存频率与带宽提升明显

频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。

带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。

综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。

3、DDR4内存容量提升明显，可达128GB

上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。

4、DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。1、金士顿科技（Kingston Technology）

总部：美国

官网：http://www.kingston.com/cn/

主营：系统指定内存、ValueRAM内存模组、HyperX玩家专用内存、存储卡、MicroSD卡。

2、记忆科技（Ramaxel）

总部：深圳

官网：http://www.ramaxel.com/

主营：记忆提供内存、固态硬盘（SSD）、闪存卡等全系列存储产品及解决方案。

3、威刚科技（ADATA Technology）

总部：台湾

官网：http://cn.adata.com/

主营：内存、闪存盘/闪存卡、SSD 固态硬盘及移动硬盘。

4、美光科技（Micron Technology）

总部：美国爱达荷州

官网：http://www.micron.com/

主营：DRAM、NAND快闪存储器和CMOS影像感测器，其它半导体元件和内存模组。

5、创见资讯（Transcend Information）

总部：台湾台北市

官网：http://www.transcendchina.com/

主营：各式存储器模块、存储卡、读卡机、U盘、数字音频播放器、外接式硬盘、固态硬盘、工业用产品与其他周边产品。

6、MA Labs

总部：美国硅谷

官网：http://www.malabs.com/

主营：处理器，存储设备，笔记本电脑，主板，显卡，显示器，无线网络，外壳，消费电子，软件等。

7、金泰克（Kimtigo）

总部：中国

官网：http://www.kingtiger.com.hk/

主营：电脑、服务器到播放器、手机等几乎所有的使用存储产品的设备。业务范围囊括DRAMModule，SSD，MicroSD，UFD等。

8、宇瞻科技（Apacer Technology）

总部：台湾

官网：http://www.apacer.com.cn/

主营：Flash与USB等行动存储产品。

9、海盗船内存（Corsair Memory）

总部：美国

官网：http://www.corsair.com/zh-cn

主营：随身盘Flash Voyager、电源供应器、PC组件及外围设备。

10、十铨科技（Team Group）

总部：台湾

官网：http://www.teamgroupinc.com/en/index.php

主营：存储器模组（Memory Module），各款存储卡（Memory Card），快闪盘（UFD），固态硬盘（SSD），移动硬盘（Portable Hard Drive）及工规记忆储存产品，亦接受国际知名大厂委外代工。

11、闪迪SanDisk

总部：美国

官网：http://www.sandisk.cn/

主营：SD/microSD卡，读卡器，无线存储，移动闪存盘，USB闪存盘，SSD，嵌入式存储产品等

12、芝奇gskill

总部：台湾

官网：http://www.gskill.com/

主营：笔记本/台式/MAC内存，SSD，内存卡，电脑外设周边等

13、金邦科技GEIL

总部：台湾

官网：http://www.geil.com.tw/zh_CN/

主营：DDR系列内存，SSD，存储卡等

14、光威Gloway

总部：加拿大

官网：http://www.gloway.com.cn/

主营：内存系列，SSD，USB闪存盘等

15、美商博帝科技(Patriot Memory)

总部：美国

官网：http://www.patriotmemory.com/

主营：DRAM，SSD，Flash等

16、盛创Kingmax

总部：台湾

官网：http://www.kingmax.com/

主营：SSD，U盘，存储卡，内存DRAM等

17、三星Sangsung

总部：韩国

官网：http://www.samsung.com/cn/home/

主营：SD/MicroSD卡，SSD，嵌入式存储等

18、东芝Toshiba

总部：日本

官网：http://www.toshiba.com.cn/index.html

主营：NAND闪存，MCP存储器，可移除存储媒介等

19、海力士Hynix

总部：韩国

官网：http://www.skhynix.com/

主营：DDR4/DDR3 SDRAM，电脑内存，图像存储器，嵌入式存储，NAND Flash等

20、英特尔Intel

总部:美国

官网：http://www.intel.cn/

主营：内存，嵌入式存储等

21、飞索半导体Spansion

总部：美国

官网：http://www.spansion.com/

主营：HyperFlash NOR闪存，串并行NOR闪存，MCP闪存，NAND闪存等

22、意法半导体ST

总部：瑞士

官网：http://www.st.com/

主营：NFC/RFID存储器和收发器，NVRAM，串口EEPROM等

23、力积电子Zentel

总部：台湾

官网：http://www.zentel.com.tw/

主营：利基型 DRAM、Flash 产品设计，制造与销售。

24、芯城ISSI

总部：加利福尼亚州圣何塞市

官网：http://www.issi.com

产品：高速和低功耗的SRAM和低,中密度的DRAM，等

25、赛普拉斯CYPRESS

总部：加利福尼亚州圣何塞

官网：http://china.cypress.com/

产品：无线、Microcontrollers (MCUs)、存储器、触摸感应、电源管理、时钟与缓冲器，等

26、微芯



官网：http://www.microchip.com/

产品：PIC8位单片机(MCU)和高品质的串行EEPROM，等27、ADESTO



官网：http://www.adestotech.com/

产品：DataFlash®内存，融合串行闪存，EcoXiP™系统加速内存和Mavriq™和莫尼塔™串行存储设备，等

28、华邦WINBOND



官网：http://www.winbond.com.tw/

产品：闪存（Code Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），等29、旺宏MACRONIX

官网：http://www.macronix.com/产品：NOR型快闪记忆体、NAND型快闪记忆体、e.MMC记忆体，等

30、来扬LYONTEK

官网：http://www.lyontek.com.tw/产品：Asynchronous SRAM、DDR OPI RAM、LPDDR2 SDRAM、Audio Amplifier，等32、南亚科NANYA

官网：http://www.nanya.com/

产品：标准型DRAM 、低功率行动DRAM、MCP、良裸晶KGD、车用与工规等级DRAM，等

33、长江存储YMTC

官网：http://www.ymtc.com/

产品：长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。34、华芯SCS

官网：http://www.scsemicon.com/

产品：USB3.0国密主控、SSD系列、高性能闪存系列，等

35、兆易创新GIGADEVICE

官网：http://www.gigadevice.com/产品：NOR Flash、SPI NAND Flash、GD32系列32位通用MCU，等

36、复旦微FMSH



官网：http://www.fmsh.com/

产品：安全与识别芯片、智能电表、非挥发存储器、专用模拟电路、北斗导航，等

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