总投资6亿，上海芯元基半导体第三代半导体氮化镓项目签约安徽池州

其中一期投资2亿元，打造一条GaN基DPSS衬底生产线，一条UVA365nm芯片生产线。。。...

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近日，上海芯元基半导体科技有限公司(简称“芯元基”)第三代半导体氮化镓项目正式签约落户安徽池州高新区。

据悉，芯元基第三代半导体GaN基UVA及DPSS项目总投资6亿元，规划用地约100亩，分两期建设：其中一期投资2亿元，打造一条GaN基DPSS衬底生产线，一条UVA365nm芯片生产线，并建设配套设施等；二期投资4亿元，建设行政、生产一体化厂房及配套，计划于2023年6月前实现年度销售收入不低于1亿。

资料显示，芯元基成立于2014年，是一家以基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料为主研发、设计、生产芯片的创新型公司，具有自主知识产权的复合图形化衬底(DPSS)、蓝宝石衬底化学剥离和晶圆级芯片封装等LED芯片创新技术，产品应用终端包括电源、充电器、适配器、汽车电子和小家电等。公司拥有全球首创自主知识产权，技术打破了LED芯片生产核心工艺技术的国际垄断。

今年6月，芯元基完成了870万元A+轮融资，投资方为中微公司等，其中中微公司持有芯元基12.39%的股份，是芯元基的第四大股东。

上海芯元基董事长郝茂盛曾在不久前举办的第八届中国半导体设备年会表示，芯元基基于DPSS的GaN材料和器件技术已经达到了量产程度，之前建成的大量的GaN LED芯片生产线因为成本的原因，自动化程度比较低，不能满足Micro LED，电子功率及微波芯片的需求，有在坐的各位半导体设备人的支持，芯元基有信心建成一个自动化程度高，能满足下一代GaN芯片的高端生产线。