集成电路ESD测试模型及标准

根据ESD测试模型及标准对集成电路进行测试，可确定静电对器件的危害程度，并对器件的静电放电敏感度进行分级。...

静电放电(Electrostatic Discharge简称ESD)会造成电子产品和设备功能紊乱，甚至部件损坏。随着电子产业的蓬勃发展，集成电路(IC)产品制造工艺不断微型化，IC性能和运算速度日益提高，静电放电引起的产品失效问题越来越突出。

根据ESD产生的原因及其对集成电路放电方式的不同，目前表征ESD事件的测试模型主要有三种：

• 人体放电模型(Human Body Model，HBM)
• 机器模型(Machine Model，MM)
• 充电器件模型(Charged Device Model，CDM)

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人体放电模型(Human Body Model，HBM)及测试标准



人体放电模型（HBM）的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触集成电路时，人体上的静电便会经由集成电路的管脚而进入集成电路内，再经由集成电路放电到地。此放电过程会在短到几百纳秒的时间内产生数安培的瞬时放电电流，此电流会把集成电路内的组件烧毁。

有关HBM的ESD标准有MIL-STD-883J Method3015.9、EIA/JESD22-A114-A（JEDEC，1997）。下表为人体模型器件ESD失效阈值分级。