小摩:中国IC设计还未成气候；武汉新芯新厂动土邀请函曝光；“中国芯”入资法国半导体公司；半导体产业营收今年恐又衰退
1.小摩：中国IC设计还未成气候；
2.武汉新芯新厂动土邀请函曝光！240 亿美元资金到位；
3.大基金两亿元与杭州士兰成立合资公司；
4.“中国芯”入资法国半导体公司；
5.ARM 2015全年服务器份额未破1%；
6.半导体产业营收今年恐又衰退
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1.小摩：中国IC设计还未成气候；
编译方琬庭／综合报导〕2016年度上海国际半导体展SEMICON China上周风光落幕，6大主题展区包括IC制造、LED及蓝宝石、TSV、半导体材料、MEMS和解决方案专区，总计今年展出摊位再添2成、至近 3000千个；摩根大通亚太股票研究报告指出，半导体业跃升中国近年来重点发展产业，加上投资基金蜂拥，看好中芯国际前景；另外如台湾参展厂商台积电 （2330）技术领先，有望挑战英特尔10奈米和7奈米制程地位。
摩根大通指出，中国长电科技、南通富士通和天水华天等大厂透过收购交易吸收技 术，带动封测代工（OSAT）业高度发展，预期未来晶圆级晶片尺寸封装（WLCSP）及苹果高阶封装可能考虑转向中资厂商。此外，联发科（2454）和高 通间竞争激烈，恐进一步冲击联发科获利和毛利率。
中国政府挟市场与资金优势，扩大扶植半导体产业，不过，中国清华紫光去年提议收购美光科技，遭美国政府以国安为由挡下，多项并购提案也面临破局，估计去年全球半导体并购逾1000亿美元规模中，中国仅占70亿至80亿美元。
根据外资报告，中国IC设计及制造快速崛起，但其全球市占率仅10%，面对中国制造2025（即2020年前市占目标18%，2025年前升至22%）的挑战，是否真能见到成效仍存疑问；据统计，中国投资技术主要集中在IC制造，其次为封测代工和IC设计。
分析师认为，虽然中国砸重金扶植海思半导体，以及展讯通信等具有国企背景的半导体企业，但当地小型IC设计厂超过800间，可能需加速整合，以因应国际市场竞争。自由时报
2.武汉新芯新厂动土邀请函曝光！240 亿美元资金到位；
中国发展记忆体产业再有新进展！中国武汉新芯将建新记忆体厂，新厂动土仪式就落在本月 28 日，根据科技新报取得的消息，武汉新芯将建的为 NAND Flash 厂，而非市场谣传的 DRAM 厂，据悉，国家集成电路产业发展基金（大基金）与湖北省政府已到位，武汉新芯已磨刀霍霍进军 Flash 市场。
中国拟自建半导体供应链，在国安、军事考量下，记忆体一直是中国亟欲自足发展的领域，并属意选定一个省市为重点发展区域，先前在六大地方政府竞逐下，最终由武汉新芯出线，获得大基金挹注，统筹整体记忆体产业发展。
据 悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位，武汉新芯将于本月 28 日举行动土仪式，并已发出邀请函，从邀请函内容显示，新的厂区将落户于武汉东潮新技术开发区，投资总金额高达 240 亿美元，外传武汉新芯将先兴建 12 寸 DRAM 厂，然根据科技新报取得的消息，武汉新芯将先行建造 Flash 厂，同样生产 NOR 型 Flash，并逐步移转至 NAND Flash 产品，甚至 3D NAND Flash，最终目标产能 30 万片。
从 3D NAND Flash 弯道超车的野心
从 武汉新芯近期的布局或可看出端倪，2015 年 5 月，武汉新芯才与 NOR 记忆体厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海 SEMICON China 与厦门 2015 集成电路产业促进大会的谈话，主轴同样绕在 Flash 产业的布局。
武汉新芯财务长陈少民在 15 日才开幕的上海 SEMICON China 记忆体产业发展论坛上即指出，“日本抓住了 DRAM 发展机遇，韩国抓住了 DRAM 和 NAND 发展机遇，两国都成为了记忆体行业的领头羊。如今 3D NAD 技术兴起，十三五规划又将半导体作为发展重点，我们正谓正好走到了一个发展的‘风口’势必把握这一机会。”洪沨早前也称，3D NAND Flash 将成为中国记忆体晶片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的记忆体布局或将从 Flash 展开。
大厂纷纷押宝，价格战已可预见？
然 而，不只武汉新芯，各大记忆体大厂也争相加大 3D NAND Flash 的投资，英特尔大连厂转生产 3DNAND Flash，于下半年产能开出，SK 海力士在三月初则传出投入 15.5 兆韩圜（约 4,500 亿新台币）扩充 NAND Flash 产能，并于 2019 投产， 17 日，东芝也宣布三年内要投资 3,600 亿日圆建厂扩产，同样押宝 3D NAND Flash。
外资 RBC Capital Markets 分析师 Amit Daryanani 近期的报告即发出忧心，在业者纷纷转进 3D NAND Flash 下，平均销售价格（ASP）将被拉低，甚至可能出现价格暴跌的情形，使得部分厂商陷入困境。3D NAND Flash 未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。technews
3.大基金两亿元与杭州士兰成立合资公司；
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。
重要内容提示：
●合同类型及金额：共同投资合同，总投资金额为8亿元人民币。
●合同生效条件：各方签字盖章之日起生效。
●合同履行期限：主要分为第一轮增资和第二轮增资，具体详见本公告第三部分。
●对上市公司当期业绩的影响：本次投资事项周期较长，对上市公司当期业绩暂无重大影响。
●特别风险提示：详见本公告第五部分合同履行的风险分析。
一、投资合同概述及审议程序情况
（一）投资合同概述
为顺利推动公司8英寸集成电路芯片生产线项目（以下简称“8寸线项目”）的实施，杭州士兰微(5.950, 0.11, 1.88%)电子股份有限公司（以下简称“公司”或“本公司”）、杭州士兰集成电路有限公司（以下简称“士兰集成”）、杭州集华投资有限公司（以下简称 “集华投资”）、杭州士兰集昕微电子有限公司（以下简称“士兰集昕”）与国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）于2016年3月 18日在中国北京共同签署了《投资协议》，合同主要内容详见本公告第三部分。
（二）审议程序情况
2016年2月 22日公司召开了2016年第一次临时股东大会，审议通过了《关于与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同投资建设8英寸芯片生产线的议案》。本次股 东大会同时授权董事长陈向东先生签署与国家集成电路产业投资基金股份有限公司就该项目的相关协议及签署相关增资的协议。
二、投资合同标的和各方当事人情况
（一）合同标的情况
1、杭州集华投资有限公司
（1）公司名称：杭州集华投资有限公司
（2）成立时间：2015年12月4日
（3）注册地址：杭州市西湖区黄姑山路4号9号楼1楼。
（4）注册资本：1，000万元
（5）法定代表人：陈向东
（6）经营范围：服务：实业投资、投资管理、投资咨询（除证券、期货）（以法须经审批的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
（7）股东情况：本公司持有集华投资100%的股权。
（8）截至2015年12月31日，集华投资总资产为1，000万元，负债0万元，净资产1，000万元。2015年营业收入0万元，净利润0万元。（以上数据未经审计）
（9）待本次共同投资事项完成后，集华投资的注册资本将由1，000万元增加至41，000万元。
2、杭州士兰集昕微电子有限公司
（1）公司名称：杭州士兰集昕微电子有限公司
（2）成立时间：2015年11月4日
（3）注册地址：杭州下沙经济技术开发区东区10号路308号13幢
（4）注册资本：2，000万元
（5）法定代表人：陈向东
（6）经营范围：生产、销售：8英寸集成电路芯片（经向环保部门排污申报后方可经营）。
（7）股东情况：本公司持有士兰集昕90%的股权，本公司重要子公司士兰集成持有士兰集昕10%的股权。
（8）截至2015年12月31日，士兰集昕总资产为1，998.5万元，负债0万元，净资产1，998.5万元。2015年营业收入0万元，净利润-1.5万元。（以上数据未经审计）
（9）待本次共同投资事项完成后，士兰集昕的注册资本将增加至82，000万元
（二）合同其它当事人情况
1、国家集成电路产业投资基金股份有限公司
（1）公司名称：国家集成电路产业投资基金股份有限公司
（2）成立时间：2014年9月26日
（3）注册地址：北京市市辖区经济技术开发区景园北街2号52幢7层718 室
（4）注册资本：9，872，000万元
（5）法定代表人：王占甫
（6）公司类型：股份有限公司（非上市）
（7）经营范围：股权投资、投资咨询；项目投资及资产管理；企业管理咨询
（8）股东情况：财政部持有25.95%；国开金融有限责任公司持有23.07%；中国烟草总公司持有14.42%；北京亦庄国际投资发展有限公司持有7.21%；中国移动通信集团公司持有7.21%；其他股东合计持有22.14%。
2、杭州士兰集成电路有限公司
（1）公司名称：杭州士兰集成电路有限公司
（2）成立时间：2001年1月12日
（3）注册地址：杭州下沙经济技术开发区东区10号路308号
（4）注册资本：50，000万元
（5）法定代表人：陈向东
（6）经营范围：经营范围为集成电路，半导体，分立器件的制造和销售；自产产品及技术的出口业务；经营生产、科研所需原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及技术的进口业务；经营来料加工和“三来一补”业务。
（7）股东情况：本公司持有士兰集成97%的股权，本公司全资子公司杭州士兰明芯科技有限公司持有士兰集成1.5%的股权，本公司参股公司杭州友旺电子有限公司持有士兰集成1.5%的股权。
三、投资合同主要内容
（一）第一轮增资
1、第一轮增资基本情况
大基金出资2亿元人民币，本公司出资2亿元人民币，共同增资杭州集华投资有限公司，出资方式均为货币。目前集华投资为本公司全资子公司，注册资本为1，000万元人民币。共同增资后集华投资注册资本将增加到41，000万元人民币。
第一轮增资完成前及第一轮增资完成后，集华投资的股权结构如下所示：
■
2、第一轮增资交割的先决条件
（1）集华投资股东会已依法批准了集华投资增资的各项事项，包括但不限于：
a) 批准了投资协议及其附件；
b) 批准集华投资的注册资本由人民币1，000万元增加至人民币41，000万元；
c) 批准大基金及士兰微向集华投资实施第一轮增资；
d) 批准经修订的集华投资公司章程；
e) 批准华芯投资管理有限责任公司（以下简称“华芯投资”，华芯投资是大基金的受托管理人）提名的董事担任集华投资的董事；及
f) 批准华芯投资提名的监事担任集华投资的监事。
（2）士兰微集团实体（士兰微集团实体是指：士兰微、士兰集成、集华投资、士兰集昕）向大基金出具了以上内容所示的确认函，且保证确认函所列的内容均已全部满足；
（3）投资协议及其项下的交易已通过大基金及华芯投资的内部决策。
3、第一轮增资出资款应全部被用于对士兰集昕的投资。
（二）第二轮增资
1、第二轮增资的基本情况
大基金出资4亿元人民币，增资后的集华投资出资4亿元人民币，共同增资杭州士兰集昕微电子有限公司。目前士兰集昕是士兰微与士兰集成共同出资设立的控股子公司，注册资本为2，000万元。增资后士兰集昕注册资本将增加到82，000万元。
第二轮增资完成前及第二轮增资完成后，士兰集昕的股权结构如下所示：
■
2、第二轮增资交割的先决条件
大基金支付大基金第二轮增资出资款的义务以下列先决条件全部获得满足为前提，大基金可豁免其中一项或数项条件：
（1）大基金与士兰微已完成第一轮增资交割；
（2）士兰集昕股东会已依法批准了第二轮增资的各项事项，包括但不限于：
a) 批准了投资协议及其附件；
b) 批准士兰集昕的注册资本由人民币2，000万元增加至人民币82，000万元；
c) 批准大基金及集华投资向士兰集昕实施第二轮增资；
d) 批准经修订的士兰集昕公司章程；
e) 批准华芯投资提名的董事担任士兰集昕的董事；及
f) 批准华芯投资提名的监事担任士兰集昕的监事。
（3）士兰微集团实体向大基金出具了内容如上所示的第二轮增资交割先决条件满足确认函，且保证第二轮增资交割先决条件满足确认函所列的内容均已全部满足。
（4）本协议及其项下的交易已通过大基金及华芯投资的内部决策。
（三）增资完成后，大基金依据投资协议以及集华投资、士兰集昕章程享有相应的股东权利。
（四）华芯投资作为大基金的代表有权向集华投资、士兰集昕分别提名一名董事和一名监事。
（五）第二轮增资完成后，8寸线项目的实施主体将由杭州士兰集成电路有限公司整体变更为杭州士兰集昕微电子有限公司。士兰集成应在第二轮增资交割日起 12个月内将与8寸线项目有关的资产（包括但不限于土地使用权、在建工程及工艺设备等，合称“转让资产”）以大基金代表认可的实际发生的成本（签署合同的 以合同金额为准）加合理的税费从士兰集成转让至士兰集昕。
（六）违约责任
如果本协议任何一方违反本协议的任何约 定，包括但不限于其在本协议中所作的陈述和保证、承诺以及任何其他约定，以至于本协议不能充分履行，由此产生的责任应由违约方承担。如果各方均违约，各方 应各自承担其违约引起的那部分责任。如造成守约方的经济损失，违约方还需就守约方因违约而蒙受的经济损失承担赔偿责任。
（七）争议解决方式：任何因本协议引起或与本协议有关的争议应首先由各方协商解决，若争议发生后三十日内尚未解决，则任何一方均可将该争议提交中国国际经济贸易仲裁委员会在北京仲裁解决。
（八）合同生效条件和时间：本协议应于各方授权代表正式签署并盖章之日起生效并具有法律约束力。
（九）合同签署时间和地点：本合同于2016年3月18日在中国北京签署。
四、合同履行对上市公司的影响
（一）合同的履行预计不会对公司2016年度的资产总额、净资产和净利润产生重大影响；
（二）合同的履行对公司业务独立性不构成影响，公司主要业务不会因合同的履行而与合同对方形成依赖；
（三）本次引入集成电路产业基金为公司8英寸生产线的投资方，为公司8英寸生产线的建设提供了重要的资金保障，降低了项目建设的财务成本，有利于加快公司8英寸生产线的建设和运营。
五、合同履行的风险分析
（一）本次投资合同各方当事人均具有履约能力，协议各方对该合同项下的交易事项均已通过了各自内部程序决策。
（二）本合同履行过程中如果遇到不可抗力等因素的影响，有可能会导致合同无法全部或部分履行或延迟履行。
六、备查文件
（一）公司2016年第一次临时股东大会决议；
（二）投资协议文本及附件。
特此公告。
杭州士兰微电子股份有限公司
董事会
2016年3月22日证券时报
4.“中国芯”入资法国半导体公司；
来源：界面
芯片产业发展被提高到国家战略高度以来，这样的投资并购越来越常见。
林嘉文
图片来源：视觉中国
中国资本又看上了法国半导体公司Soitec。
据界面新闻记者了解，上海硅产业投资有限公司计划收购Soitec14.5%的股份。且Soitec负责人向界面透露，上海硅产业确实已承诺入资，但细节还没敲定，具体结果最快将在今年6月左右公布。
这项操作被不少人看作“中国芯”国家队的又一次发力。
自2014年以来，芯片产业发展被提高到了国家战略高度，无论是地方产业基金还是国家政策支持，都从不同层面为产业发展保驾护航。
2014年10月，在工信部、财政部的指导下，国开金融有限责任公司、中国移动通信集团公司、北京紫光通信科技集团有限公司、华芯投资管理有限责任公司等有实力的企业共同设立1200亿国家集成电路产业投资基金(下称大基金)。
而本次交易的主角“上海硅产业”，正是由“大基金”和上海嘉定工业区等机构共同出资成立，注册资本为人民币20亿元，预计到2016年底，资本将达到60亿元。
由于中国芯片企业起步较晚，在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”，因此“中国芯”要做大做强，通过产业发展股权投资基金支持重点企业的兼并重组及海外收购，培育具有核心竞争力的大型企业，无疑是明智的手段。
事实上自2013年起，“中国芯”代表企业之一紫光集团已连续完成三次国际并购和一次外资入股，涉及企业包括展讯、锐迪科等行业里的成熟企业。
此次上海硅产业拟入资Soitec，同样是希望充分借力国家集成电路基金的平台及引领优势，通过投资、并购、创新发展和国际合作来提升硅材料产业综合竞争力的路径。
被相中的Soitec是一家设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业，处于芯片产业链上游，以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。Soitec在全球拥有约3600项专利，核心技术是FD-SOI技术。
“FD-SOI技术能特别好地延伸摩尔定律，每一代新的产品实现更低的功耗、更高的性能和更低的成本，适用于市场上几乎所有的智能设备；而且生产所使用 的基础设施还是依据传统的bulk silicon(体硅)平面所使用的，不需要基础设施有大幅度的更改，能让代工厂和设备制造企业生产和设计的时间更短，上市更快。”Soitec公司数字 电子业务部高级副总裁Christophe Maleville接受界面新闻记者专访时说道。
Christophe表示，现在全球四大代工厂里三星(Sumsung)和格罗方德(Global Foundries)两家已经在使用FD-SOI技术，主要用于物联网、移动通讯、可穿戴设备、车联网等领域。
“他们采用这个技术的原因就在于FD-SOI的功耗更低，成本更少。比如索尼新一代的智能手表中的GPS，目前市场上最优秀的GPS产品功耗大概在10mW，而使用FD-SOI技术制作的芯片功耗能达到1mW，功耗降低10倍。”
因此Christophe认为，Soitec在半导体领域的领先经验、Soitec拥有的FD-SOI基板技术能助力中国半导体行业实现弯道超车，在手 机、物联网、电子消费品、穿戴设备等应用方面实现芯片成本、性能、能耗上的最佳平衡，提升其在国际业界的地位及技术水平。
能够快速、 低风险、大规模的部署，是上海硅产业投资有限公司和Soitec快速推进合作的原因。据Christophe透露，在合作达成之后，中方的IC设计厂商能 够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术，同时Soitec承诺如果未来中国大规模采用了这个技术，需要多少晶圆都可以提供。“除了销售 产品的合作，在研发和生态系统建设方面也将展开合作。”
在目前的政策环境下，中国厂商比较激进、有野心，Christophe认为这对行业是个好事情，能够帮助中国半导体行业快速改变全球半导体行业格局。
“中国内地的代工厂、芯片制造厂起步比较晚，如果想跟韩国、中国台湾的芯片厂商竞争的话，我们认为FD-SOI就是可以改变整个竞争格局的技术。在主流 市场的手机、电子产品、车载设备、互联网、WiFi等，FD-SOI技术能给客户带来很多价值。”Christophe非常看好FD-SOI为中国厂商带 来的好处，他同时也希望FD-SOI技术能够成为移动通讯应用中芯片的标准技术，且通过这个合作FD-SOI技术在移动设备芯片的应用成为行业的标准。
对于中国芯片产业未来几年的发展Christophe表示很难预测，但他认为到2020、2021年左右中国半导体行业将会是全世界最大的半导体市场，尤其是FD-SOI技术会有很好的发展。
5.ARM 2015全年服务器份额未破1%；
去年ARM伺服器晶片全球出货仅占不到1%，还远远落后至今仍有高达9成的英特尔x86伺服器晶片市占。ARM企业行销与投资人关系副总裁Ian Thornton坦言，ARM伺服器晶片技术和软体生态系还不够成熟是ARM伺服器至今采用仍不高的两大主因。
尽管ARM近年来积极展现抢攻伺服器晶片市场的企图心，甚至去年还夸下豪语5年后要拿下2成伺服器市场，但根据ARM最新发布的2015年营收报告却显示，去年ARM伺服器晶片全球出货仅占不到1%，还远远落后至今仍有高达9成的英特尔x86伺服器晶片市占。
虽 然这2年ARM成功拉拢晶片、硬体系统、软体应用等夥伴，使得伺服器市场开始出现锁定资料中心应用的32位元、64位元ARM伺服器产品。如HP推出采 用64位元ARM的ProLiant m400伺服器，ADM也发布了首款64位元ARM伺服器处理器等。不过至今仍较少有大型企业开始在资料中心采用ARM架构伺服器。
ARM 企业行销与投资人关系副总裁Ian Thornton坦言，ARM伺服器晶片技术和软体生态系还不够成熟是ARM伺服器至今采用仍不高的两大主因。而之所以没办法短时间就建立起整个生态系的 原因，他解释，从一家晶片业者开发ARM晶片到完成量产，通常得需要2～3年时间，即使新晶片推出以后，伺服器厂商要采用，很多时候，就会碰到许多软体无 法支援的情况，这时就得找到更多硬体系统、软体应用厂商加入，才能逐渐壮大整个伺服器生态圈。这不是短短几年就能达成，而是得需要花上10年才能够完成。 “而目前ARM才刚走到一半，未来5年才会是胜负的关键。”他表示。
Ian Thornton也揭露目前ARM伺服器发展的最新进展，除了AMD、高通、Broadcom、海思等多家半导体厂商皆已量产ARM伺服器晶片外，一些云 端业者也开始于资料中心使用ARM伺服器进行各项业务和软体系统的测试工作，甚至少数云端服务业者已展开早期ARM伺服器部署。他表示，今年也将会有更多 云端厂商加入部署行列。
虽然ARM在伺服器市场至今未见起色，不过在网通市场则是获得了不错的发展，ARM网通处理器出货去年全球市占达 15%，Ian Thornton表示，接下来该公司还计画推出更强大的处理器，以因应未来5G即将掀起的电信网路新变革，包括增加网通设备高承载、低延迟，以及大量 IoT装置连网的能力，目前ARM同时也与几家网通厂商合作，在网路设备使用ARM最新64位元ARMv8-A架构技术来推出新产品。ithome
6.半导体产业营收今年恐又衰退
今年全球半导体产业又将呈现衰退？市场研究机构Semico Research最新的预测报告指出，因为宏观经济景气低迷、记忆体价格疲软，以及市场缺乏可推动晶片消耗的“杀手级应用”，2016年半导体市场恐怕出现0.3%左右的衰退。
Semico 先前曾经预测2016年全球半导体市场可成长3~4%；而根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的数字，2015年全球半导体销售额较2014年衰退了 0.2%。如果Semico对2016年半导体市场又将衰退的预测成真，这将会是该市场自2008与2009年以来受全球金融风暴影响以来，又一次出现连 续两年衰退。
WSTS与其他市场研究机构仍维持对2016年半导体产业将微幅成长的预测；WSTS认为成长幅度为0.3%，IC Insights的预测则是成长2%。这些预测数字的差距都不大，例如WSTS与IC Insights的预测值差距不到1%；但人们在心理上恐怕仍觉得这样的差距很大。半导体产业在2008年与2009年连续两年出现衰退，是该产业有史以 来第一次；但才过了7年又历史重演，意味着半导体产业的成熟度又迈入了新境界。
Semico总裁Jim Feldhan表示，其根本原因在于缺乏能刺激半导体消耗量增加的驱动力；他指出，个人电脑(PC)市场在几年前呈现停滞之前的20几年是半导体需求主动 力，而智慧型手机市场在第一代iPhone问世之后起飞，扮演了数年半导体产业成长引擎，可惜最近智慧型手机销售成长开始趋缓。平板装置销售额也曾短暂几 年为半导体需求有所贡献，但自从去年以来就呈现衰退。
全球半导体销售额变化
“我曾听高通(Qualcomm)的总裁做过有趣的比喻，说现在全世界的智慧型手机数量比马桶还多；”Feldhan表示：“而我认为重点在于该市场已经非常饱和，我们现在正在寻找能驱动人们升级手机的新应用。”
Feldhan补充指出，半导体产业在过去几年因为智慧型手机与平板装置市场动辄二位数字的成长，而建立了大量产能；现在那些终端产品的出货量成长趋缓，使得产业界面临库存过剩、拖累产品平均销售价格(ASP)。
半 导体产业上一次出现二位数字成长是2014年，幅度达到10%；Feldhan表示，该产业2014年的成长主要是由产能短缺的记忆体晶片所推动，那一年 记忆体营收成长以及记忆体晶片价格的增加，是让整体半导体产业成长的主力，同时间逻辑晶片销售额的成长幅度则因为市场竞争激烈而非常小。
Feldhan 指出：“目前基频处理器与应用处理器仍然是非常竞争的领域，而记忆体晶片价格也回到以往每一季都呈现衰退的惯例。”如另一家市场研究机构IC Insights预测，DRAM市场营收在2016年恐出现8%的衰退，主要原因是该类元件平均销售价格估计衰退11%；而该机构也因次将2016年半导 体市场成长率预测，由原先的4%调降为2%。
而Feldhan也将Semico下修半导体产业成长率预测归因于中国市场成长趋缓；他表示，事实上种种指标显示几乎每个国家今年的GDP将低于去年，只有印度与韩国例外：“当你综合所有这些因素，就发现真的很难想像今年半导体产业会是成长的一年。”
不 过长期看来，Feldhan表示Semico仍看好半导体产业在物联网(IoT)领域的发展机会，以及汽车产业对晶片消耗量的需求增加，但实际效果得等到 有任何产品能媲美智慧型手机在过去几年的成长才会显现:“希望有人能开发出一种真正超酷的运算应用程式，让每个人都需要10奈米制程的处理器以及更多记忆 体。”
编译：Judith Cheng
(参考原文： Chip Market May Contract Again，by Dylan McGrath)eettaiwan
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