次级反馈24W六级能效电源芯片

PN8160系列为芯朋微第三代SSR产品，自发布以来受到工程师们的高度关注。x0a本期为大家揭密PN8160在能效、功率密度、可靠性等方面的八大亮点及简化六级能效18W/24W适配器设计的关键技术，为粉丝们送上“2017年开工大礼”。...

PN8160系列为芯朋微第三代SSR产品，自发布以来受到工程师们的高度关注。

本期芯朋微技术团队为大家揭密PN8160在能效、功率密度、可靠性等方面的八大亮点及简化六级能效18W/24W适配器设计的关键技术，为粉丝们送上“2017年开工大礼”。

芯片特征        

1. 专利高压启动，无需启动电阻，待机功耗小于50mW；
2. QR-PWM + QR-PFM + Burst Mode提高平均效率，精准谷底开通算法，轻松满足六级能效；
3. 自适应PWM工作频率(85/65kHz)，减小变压器体积，校正高低压过流点一致性；
4. 内置电流采样管，无需CS电阻，节省成本、提高效率、简化布板；
5. 叠层封装技术，热阻更小，24W无需散热片；高低压脚位两侧排列，更高安全性；
6. 超宽VDD电压8-40V，适合快充应用；
7. 全面保护功能：输出过压保护、VDD欠过压保护、过温保护、过载保护、输出二极管短路等保护；
8. 超高可靠性：40V BCD平台 + 690V Smart MOSFET；HBM ESD大于4kV；Latchup电流大于200mA。

典型应用       

封装       

关键技术       

1

高压启动技术PN8160的专利高压启动技术可实现50mW待机，并具有快速启动、轻载高效等优点。

其工作原理如下：第一级由Rst启动集成的高压启动管M3，第二级由M3启动整个芯片。当芯片启动后关闭M3，仅保留第一级用于检测芯片是否需要重新启动，由于Rst阻值在几十兆，相比传统电阻启动，节省约20mW待机损耗。

2

多工作模式75%-100%负载工作在QR-PWM模式，通过分频技术实现高压工作在QR，低压工作在CCM。

10%-50%负载工作在QR-PFM模式，谷底开通降低开通损耗。

空载工作在深度Burst
Mode，降低开关频率(

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