《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET：C2M0025120D》

由于芯片设计优异，C2M0025120D的成本非常具有竞争力。栅极结构非常简单，封装也经过优化来节约成本。本报告对该封装和器件都进行了深入分析，并提供平面型SiC结构的清晰图像。...

——逆向分析报告

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发现科锐（Cree）在碳化硅（SiC）MOSFET战略选择中的关键作用

近些年，SiC功率半导体市场发展速度较快，预计2016~2020年的复合年增长率（CAGR）为28%。由于工业应用的增长驱动，2020年以后的复合年增长率可达到40%。预计到2022年，SiC器件整体市场规模将增长至10亿美元以上。全球SiC市场上的主要厂商包括英飞凌、Cree/Wolfspeed、罗姆、意法半导体、安森美等。



2016~2022年SiC器件市场增长情况
来源：《功率SiC（碳化硅）材料、器件、模组及应用-2017版》

Wolfspeed是SiC肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）分立元件以及模块的先驱公司，提供从900V到1700V的全系列SiC产品。不同于其它制造商（如罗姆）采用沟槽结构实现1200V产品和采用平面结构实现1700V产品，Wolfspeed则采用平面结构实现所有电压的产品。而且，Cree能够实现独特的三重（triple implantation）注入工艺和硅化物源极触点，以提高接触电阻。



Wolfspeed产品供应链情况

C2M0025120D是Wolfspeed的1200V SiC MOSFET产品，用于太阳能逆变器、开关式电源、电动机、充电器和储能系统等工业电源。该产品拥有25mΩ的低导通电阻，但具有3.5 A/mm²的高电流密度。C2M0025120D集成了实现90A电流的第二代高压SiC平面型功率MOSFET芯片。

C2M0025120D特点：
• 全新C2M SiC MOSFET技术
• 低导通电阻下的高阻断电压
• 具有高阻斷電壓與低導通電阻
• 便于并联，易于驱动
• 雪崩耐受性强
• 抗闩锁效应
• 无卤素，符合RoHS规范

C2M0025120D优势：
• 更高的系统效率
• 更低的冷卻需求
• 更高的功率密度
• 更高的系统开关频率

C2M0025120D应用：
• 太阳能逆变器
• 开关式电源
• 高压DC/DC转换器
• 充电器
• 电动机
• 脉冲电源应用



C2M0025120D拆解与逆向分析

由于芯片设计优异，C2M0025120D的成本非常具有竞争力。栅极结构非常简单，封装也经过优化来节约成本。本报告对该封装和器件都进行了深入分析，并提供平面型SiC结构的清晰图像。



C2M0025120D部分工艺流程

此外，本报告还将C2M0025120D与罗姆和意法半导体的SiC MOSFET、1200V硅基IGBT等产品进行对比分析，包括电气参数、供应链和产品成本。

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