【设备专题】3D NAND 闪存制造所面临的硅晶圆斜面缺陷挑战和解决方案

 

随着芯片尺寸不断缩小,3D nand闪存的工艺,整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的,厚度差异......



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本文选自《电子工业专用设备》期刊,是由工业和信息化部主管,中国电子科技集团公司第四十五研究所与北京菲尔斯信息,咨询有限公司共同主办,中国电子专用设备工业,协会会刊;是业内最具权威的国内外公开,发行的国家级刊物。本刊1971年创刊,已走过了48年的历程,作为信息平台一直,以作风严谨、权威著述在业界颇具,影响力。

本刊为《中文核心期刊》、《中国科技论文统计》和《中国电子科技文摘》用刊,同时是《中国学术期刊(光盘版)》、中国期刊网、万方资源系统(ChinaInfo)数字化期刊网及北极星网站,全文收录期刊。是目前国内电子专用设备及材料,领域唯一获正规出版发行的权威专业刊物(国内统一刊:CN62-1077/TN  国际标准刊号:ISSN 1004-4507),也是中国半导体封测年会、中国集成电路制造年会、电子封装国际会议、中国半导体设备年会等,会议承办或合作媒体,多年来为推动我国电子专用,设备的发展发挥了极其重要的作用。

杂志定位于加强国际技术的,交流与合作,促进产品与市场相结合,面向整个电子设备、生产行业的管理者、电子工程师、采购人员和市场开发人员,全面介绍专用设备,领域内的新产品,新技术,新动态。保持刊物的国际性、权威性、实用性。《电子工业专用设备》将借助媒体和会议的,联动优势,为广大客户拓展市场提供,无限商机,欢迎刊登广告和惠赐稿件。
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