存储遇性能瓶颈，英特尔有何妙招？关注CFMS2021英特尔精彩演讲！

在几大NAND Flash核心原厂中，英特尔主要专注企业级市场，并积极推动QLC技术应用扩展在即将于9月14日在深圳市南山区华侨城洲际酒店召开的2021中国闪存市场峰会（CFMS2021）中，英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰先生将出席并发表重要演讲，分享英特尔发展战略及未来规划

英特尔坚持技术创新，推动SSD在数据中心领域应用扩大

众所周知，在闪存领域中主要有两种技术路线：电荷捕捉（Charge Trap）和浮动栅极（Floating gate），两者各有特点而浮栅技术的优势主要在于数据留存方面，且可靠性更高，做QLC和PLC等高密度存储更具优势

目前，在各大原厂中，仅英特尔仍然采用浮栅技术，并持续推动在数据中心企业级市场中的应用，并为业内首家向数据中心和客户端出货QLC PCIe NAND固态盘的公司

在企业级市场上，当前还是以HDD为主，但是在性能与功耗上HDD自然无法与SSD比拟近年来，随着NAND Flash成本可靠性及耐用性等方面逐渐优化，企业级SSD的出货量逐渐增加，根据闪存市场ChinaFlashMarket数据，企业级SSD的平均容量在2021年有望突破2.5TB

超过30年闪存研发经验， 144层QLC技术助力英特尔占据优势地位

在NAND Flash领域，英特尔资历深厚，在推动QLC应用扩展方面一直态度积极，并在去年底推出业内首款144层QLC SSD英特尔表示，QLC闪存已经在平均故障间隔时间平均温度质保寿命不可修复错误率(UBER)数据持久性等质量与可靠性指标上看齐TLC，并且兼容同样的集成电路设计，大大简化升级换代

另外，英特尔还有一个特点，那就是一直深耕企业级市场，并于今年上半年发布了数款数据中心的产品关于英特尔更多新品情况，敬请关注CFMS2021

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