《iPhone X中高频LTE射频前端模块：博通AFEM-8072》

据麦姆斯咨询报道，博通开发的中高频LTE射频前端模块AFEM-8072目前应用于iPhone X三个版本中的两个：日本版和SIM-free版。AFEM-8072还采用了先进的电磁干扰（EMI）屏蔽技术。...

——逆向分析报告

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苹果iPhone X中高频LTE射频前端模块（FEM）采用了最新一代FBAR技术和创新的先进封装



iPhone X中高频LTE射频前端模块：博通AFEM-8072

在很多科技应用领域，苹果（Apple）公司都领先于竞争对手，最明显的便是成像和显示领域，然而如今其在射频（RF）方面也采用了创新的技术——博通（Broadcom，此前为Avago Technologies）最新且最先进的滤波器和系统级（SiP）封装。据麦姆斯咨询报道，博通（Broadcom）开发的中高频LTE射频前端模块AFEM-8072目前应用于iPhone X三个版本中的两个：日本版和SIM-free版。AFEM-8072还采用了先进的电磁干扰（EMI）屏蔽技术，使得射频前端模块可在同一个封装内进行频段共享。



博通（Broadcom）射频前端模块AFEM-8072封装信息

博通（Broadcom）射频前端模块AFEM-8072位于SIM卡插槽下方的主印刷电路板（PCB）基板上，其配置取决于收发器芯片组。AFEM-8072在iPhone X日本版和SIM-free版中的代号分别为A1865和A1902。在iPhone X欧洲版中，射频前端采用两个独立的模块，多家供应商为：博通（Broadcom）、Qorvo、Skyworks和TDK-Epcos。

AFEM-8072的先进RF SiP达到了前所未有的集成水平：包含滤波器（18个）、功率放大器、SOI开关等在内的近30颗芯片。滤波器采用Avago的Microcap键合晶圆（bonded-wafer）芯片级封装（CSP）技术和硅通孔（TSV），其中的压电材料为钪掺杂氮化铝（AlScN）。对于这款用于iPhone X的特殊版本，博通（Broadcom）集成了两个先进功能：（1）射频集成电路（RF IC）：具有多个用于天线匹配的集成无源器件（IPD）；（2）射频前端模块内部的EMI屏蔽：减少芯片之间的干扰。此外，博通（Broadcom）选择了索尼（Sony）的低功率SOI开关。



博通（Broadcom）射频前端模块AFEM-8072拆解分析

受益于上述各种创新技术，博通（Broadcom）能够提供具有成本效益的射频前端模块，并减少互连。

本报告详细分析了博通（Broadcom）射频前端模块AFEM-8072，包括滤波器、射频IC、IPD，以及封装和EMI屏蔽。此外，还对其进行成本和价格预估。最后，本报告将AFEM-8072与iPhone X欧洲版中的射频前端模块A1901进行对比分析。

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